RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB
Confronto
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB vs A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
13.7
Valore medio nei test
Motivi da considerare
A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
35
62
Intorno -77% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
7.9
1,658.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
5300
Intorno 3.62 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
62
35
Velocità di lettura, GB/s
4,216.7
13.7
Velocità di scrittura, GB/s
1,658.4
7.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
19200
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
688
2237
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
AMD R748G2606U2S 8GB
A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB Confronto tra le RAM
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston KHX3000C15/16GX 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK32GX4M4K4133C19 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8GKSBG 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Corsair CM4X16GE2400C14K4 16GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS16G4D30CEST.16FD 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905713-008.A00G 4GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
AMD R7416G2133U2S 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C18 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Kingston 9905678-033.A00G 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston KHX2133C14S4/8G 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link