Confronto tra le RAM SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB vs Samsung M4 70T5663EH3-CF7 2GB

SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB vs Samsung M4 70T5663EH3-CF7 2GB

Punteggio complessivo

SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB

Punteggio complessivo

Differenze Specifiche tecniche Commenti

Motivi da considerare
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB

Velocità di lettura più elevata, GB/s

4 4

Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s

2,013.5 1,906.1

Valore medio nei test

Motivi da considerare
Samsung M4 70T5663EH3-CF7 2GB

Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns

66 68

Intorno -3% latenza inferiore

Elenco completo delle specifiche tecniche

SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB

Samsung M4 70T5663EH3-CF7 2GB

Caratteristiche principali

Other

Descrizione

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
Temporizzazioni / Velocità di clock

5-5-5-15 / 800 MHz 5-5-5-15 / 800 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)

701 703

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns