RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB
Confronto
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB vs A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14
13.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8,883.4
7.9
Valore medio nei test
Motivi da considerare
A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
35
44
Intorno -26% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
5300
Intorno 3.62 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
44
35
Velocità di lettura, GB/s
14,740.4
13.7
Velocità di scrittura, GB/s
8,883.4
7.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
19200
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2811
2237
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U72CP8-S6 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB Confronto tra le RAM
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston HP26D4S9S8ME-8 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FJ 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMK16GX4M4B3600C18 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston 9965604-008.C00G 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FD 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M392A4K40BM0-CRC 32GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.CAGSZ.4070B 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16G
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FA 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link