RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB
Confronto
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB vs Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Punteggio complessivo
Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8,883.4
14.8
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
20
44
Intorno -120% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
19.2
14
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
5300
Intorno 3.21 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
44
20
Velocità di lettura, GB/s
14,740.4
19.2
Velocità di scrittura, GB/s
8,883.4
14.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
17000
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2811
3326
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U72CP8-S6 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD2 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston K1CXP8-MIE 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Nanya Technology M2Y1G64TU88D4B-AC 1GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link