RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Confronto
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB vs Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Punteggio complessivo
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
44
68
Intorno 35% latenza inferiore
Motivi da considerare
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.9
14
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.9
8,883.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
5300
Intorno 3.62 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
44
68
Velocità di lettura, GB/s
14,740.4
16.9
Velocità di scrittura, GB/s
8,883.4
8.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
19200
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2811
2007
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U72CP8-S6 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FBD 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BZ4SHD 8GB
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMW64GX4M2E3200C16 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C16 16GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C14 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240041 4GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Crucial Technology BL32G36C16U4BL.M16FB 32GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Samsung M393A4K40BB2-CTD 32GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FA 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
AMD R7S44G2606U1S 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Apacer Technology 78.BAGSR.4030B 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link