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SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Confronto
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB vs Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
10
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
52
117
Intorno -125% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
7.3
2,303.7
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
5300
Intorno 4.02 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
117
52
Velocità di lettura, GB/s
3,094.8
10.0
Velocità di scrittura, GB/s
2,303.7
7.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
21300
Other
Descrizione
PC-5300, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
784
2306
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AW 2GB
Kingston 9905315-124.A00LF 1GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FHP 4GB
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB
Apacer Technology 76.D305G.D060B 16GB
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