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Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Confronto
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Punteggio complessivo
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Punteggio complessivo
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
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Specifiche tecniche
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Motivi da considerare
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
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Motivi da considerare
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
19
35
Intorno -84% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
19.5
12.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
15.8
7.3
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
35
19
Velocità di lettura, GB/s
12.3
19.5
Velocità di scrittura, GB/s
7.3
15.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1570
3435
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB Confronto tra le RAM
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GVK 32GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston 9965643-002.A01G 4GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
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