RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Confronto
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB vs G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Punteggio complessivo
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
20
28
Intorno -40% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
20.3
9.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
15.5
5.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
28
20
Velocità di lettura, GB/s
9.4
20.3
Velocità di scrittura, GB/s
5.5
15.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1453
3632
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB Confronto tra le RAM
Smart Modular SG572124ABS857P2SF 4GB
Mushkin 992046 (997046) 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMD64GX4M8X3800C19 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Mushkin 99[2/7/4]183 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVR 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240041 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston ACR26D4U9D8MH-16 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD2 4GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-VK 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link