RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB
Confronto
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB
Punteggio complessivo
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
16.2
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
63
Intorno -133% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.8
1,447.3
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
5300
Intorno 3.21 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
63
27
Velocità di lettura, GB/s
3,231.0
16.2
Velocità di scrittura, GB/s
1,447.3
12.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
17000
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
478
2902
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Confronto tra le RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston KHX4133C19D4/8GX 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4266 C18 Series 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMSO32GX4M2A2133C15 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMK32GX4M1A2400C16 32GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRSB 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Corsair CMK128GX4M8A2666C16 16GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Corsair CMG32GX4M2D3600C18 16GB
Samsung M393B2G70AH0-YH9 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FA 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link