RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZ 8GB
Confronto
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs G Skill Intl F4-3200C15-8GTZ 8GB
Punteggio complessivo
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZ 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
17.8
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZ 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
63
Intorno -133% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.8
1,447.3
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
5300
Intorno 3.21 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZ 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
63
27
Velocità di lettura, GB/s
3,231.0
17.8
Velocità di scrittura, GB/s
1,447.3
13.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
17000
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
478
3299
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Confronto tra le RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZ 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston 9905678-058.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2400C15-8GRK 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4000 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Mushkin MRA4S320GJJM32G 32GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston 9905678-006.A00G 4GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Aquarius Production Company LLC 16G-D4-2666-MR 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVKA 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hewlett-Packard 7EH74AA#ABC 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMW64GX4M4E3200C16 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Apacer Technology GD2.1831WS.002 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link