RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Confronto
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Punteggio complessivo
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Punteggio complessivo
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
14.7
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
41
63
Intorno -54% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
7.7
1,447.3
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
5300
Intorno 3.62 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
63
41
Velocità di lettura, GB/s
3,231.0
14.7
Velocità di scrittura, GB/s
1,447.3
7.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
19200
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
478
2154
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Confronto tra le RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Transcend Information TS1GSH64V1H 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston KHX2400C15D4/4G 4GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVK 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Apacer Technology 78.CAGMT.40C0B 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBR2 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.8FE 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
EXCELERAM EKBLACK4163016AD 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston KHX3600C17D4/16GX 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link