Confronto tra le RAM Strontium EVMT8G1600U86S 8GB vs Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

Strontium EVMT8G1600U86S 8GB vs Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

Punteggio complessivo

Strontium EVMT8G1600U86S 8GB

Punteggio complessivo

Differenze Specifiche tecniche Commenti

Motivi da considerare
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB

Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns

31 38

Intorno 18% latenza inferiore

Motivi da considerare
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

Velocità di lettura più elevata, GB/s

15.5 11.7

Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s

12.0 7.2

Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps

25600 12800

Intorno 2 larghezza di banda superiore

Elenco completo delle specifiche tecniche

Strontium EVMT8G1600U86S 8GB

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

Caratteristiche principali

Other

Descrizione

PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Temporizzazioni / Velocità di clock

9-9-9-24 / 1600 MHz 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)

1990 2283

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns