RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
Confronto
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB vs Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
Punteggio complessivo
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Punteggio complessivo
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
10.4
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
31
68
Intorno -119% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
5.3
1,944.9
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
5300
Intorno 3.21 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
68
31
Velocità di lettura, GB/s
3,973.0
10.4
Velocità di scrittura, GB/s
1,944.9
5.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
17000
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
673
1740
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB Confronto tra le RAM
Kingston KHX1600C9D3/2G 2GB
Ramaxel Technology RMUA5120MB86H9F2400 4GB
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB Confronto tra le RAM
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Apacer Technology GD2.111881.002 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CM4X8GD3200C16K2E 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
Kingmax Semiconductor KSDD48F-B8KW5 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112S64CP6
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CMWX8GD3200C16W4 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVKD 16GB
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
SK Hynix HMA82GU7AFR8N-UH 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C14 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link