RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3600C18 8GB
Confronto
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB vs Corsair CMD16GX4M2B3600C18 8GB
Punteggio complessivo
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Punteggio complessivo
Corsair CMD16GX4M2B3600C18 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
5
20.9
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Corsair CMD16GX4M2B3600C18 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
18
46
Intorno -156% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
16.6
1,852.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3600C18 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
46
18
Velocità di lettura, GB/s
5,535.6
20.9
Velocità di scrittura, GB/s
1,852.4
16.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
858
3601
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB Confronto tra le RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KU5 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3600C18 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston KCRXJ6-HYJ 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FF 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3600C18 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GFX 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZN 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Corsair CMD64GX4M8A2400C14 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Roa Logic BV iGame DDR4 8G 3000 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14C 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
A-DATA Technology AD4U240038G17-BHYA 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FE 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link