RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Confronto
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB vs Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Punteggio complessivo
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Punteggio complessivo
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
5
16.8
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
22
46
Intorno -109% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.3
1,852.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
46
22
Velocità di lettura, GB/s
5,535.6
16.8
Velocità di scrittura, GB/s
1,852.4
12.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
858
3036
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB Confronto tra le RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KU5 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Kingston KHX2666C15/16GX 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GRS 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Team Group Inc. 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.K8FB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMT32GX4M2E3200C16 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Apacer Technology 78.D1GS7.B7B0B 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BLE8G4D34AEEAK.K8FB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBR 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GVKB 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Segnala un bug
×
Bug description
Source link