RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3000C15 4GB
Confronto
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs Corsair CMK16GX4M4B3000C15 4GB
Punteggio complessivo
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Punteggio complessivo
Corsair CMK16GX4M4B3000C15 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
17
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Corsair CMK16GX4M4B3000C15 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
32
50
Intorno -56% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.7
1,457.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3000C15 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
50
32
Velocità di lettura, GB/s
3,757.3
17.0
Velocità di scrittura, GB/s
1,457.4
13.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
557
3167
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Confronto tra le RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMK16GX4M4B3000C15 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Panram International Corporation M424016 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3000D 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Apacer Technology 78.CAGPW.40C0B 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMK8GX4M1D3000C16 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD1 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Kingston 9905712-009.A00G 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 99U5700-032.A00G 16GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1600C10 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMK64GX4M4C3000C16 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link