Confronto tra le RAM Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TF 8GB

Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TF 8GB

Punteggio complessivo

Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB

Punteggio complessivo

Differenze Specifiche tecniche Commenti

Motivi da considerare
Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB

Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns

29 38

Intorno 24% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s

12.1 9.4

Valore medio nei test

Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TF 8GB

Velocità di scrittura più elevata, GB/s

8.3 8.0

Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps

17000 12800

Intorno 1.33 larghezza di banda superiore

Elenco completo delle specifiche tecniche

Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TF 8GB

Caratteristiche principali

Other

Descrizione

PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock

9-9-9-24 / 1600 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)

1989 2110

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns