RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Confronto
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Punteggio complessivo
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
15.5
Valore medio nei test
Motivi da considerare
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
32
53
Intorno -66% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.8
1,590.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
6400
Intorno 3.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
53
32
Velocità di lettura, GB/s
3,726.4
15.5
Velocità di scrittura, GB/s
1,590.1
11.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
21300
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
522
2968
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB Confronto tra le RAM
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Kingston KF548C38-16 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CM4X16GC3000C16K4D 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMD32GX4M2B2800C14 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBD1 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMV16GX4M1L2400C16 16GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
A-DATA Technology AM2P26KC8T1-BXRS 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link