RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Confronto
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Punteggio complessivo
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
17.4
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
53
Intorno -89% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.1
1,590.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
6400
Intorno 3 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
53
28
Velocità di lettura, GB/s
3,726.4
17.4
Velocità di scrittura, GB/s
1,590.1
13.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
19200
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
522
3437
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB Confronto tra le RAM
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston KDK8NX-MIE 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Apacer Technology GD2.1527WT.001 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Wilk Elektronik S.A. GX3236D464S/8GSBS1 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CMW16GX4M1Z3200C16 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C16 4GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMH16GX4M2Z3600C18 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link