RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKO 8GB
Confronto
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKO 8GB
Punteggio complessivo
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKO 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
16.1
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKO 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
30
53
Intorno -77% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.1
1,590.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKO 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
53
30
Velocità di lettura, GB/s
3,726.4
16.1
Velocità di scrittura, GB/s
1,590.1
12.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
522
2882
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB Confronto tra le RAM
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKO 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Kingston KY7N41-MIE 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C15 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMWX8GF2933Z19W8 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKO 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Kingston XN205T-HYD2 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Essencore Limited KD48GU881-26N190D 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMR32GX4M4C3333C16 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GVK 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Corsair CM4X8GF2133C13K4 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FN 16GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
SK Hynix GKE800UD102408-2400 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link