RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Confronto
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Punteggio complessivo
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Punteggio complessivo
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
17.5
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
39
53
Intorno -36% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.6
1,590.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
6400
Intorno 3 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
53
39
Velocità di lettura, GB/s
3,726.4
17.5
Velocità di scrittura, GB/s
1,590.1
10.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
19200
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
522
2600
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB Confronto tra le RAM
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston 9905702-184.A00G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Apacer Technology D12.2324CS.001 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBR 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FE 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3600C18 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4BL.M8FE1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD2 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVR 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Maxsun MSD48G30M3 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link