RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Confronto
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Punteggio complessivo
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
14.8
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
35
53
Intorno -51% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.2
1,590.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
6400
Intorno 3 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
53
35
Velocità di lettura, GB/s
3,726.4
14.8
Velocità di scrittura, GB/s
1,590.1
11.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
19200
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
522
2336
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB Confronto tra le RAM
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FB 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingston HX424C15FB/16 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Ramaxel Technology RMUA5120ME86H9F-2666 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Transcend Information TS1GLH72V1H 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FJ1 16GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Apacer Technology 78.D2GFH.4030B 16GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4400C19 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Ramaxel Technology RMSA3260KC78HAF-2666 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link