RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Confronto
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Punteggio complessivo
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Punteggio complessivo
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
12
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
53
Intorno -89% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.1
1,590.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
53
28
Velocità di lettura, GB/s
3,726.4
12.0
Velocità di scrittura, GB/s
1,590.1
9.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
522
2347
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB Confronto tra le RAM
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB Confronto tra le RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston KYXC0V-MIH 16GB
Kingston 99U5428-101.A00LF 8GB
Transcend Information JM3200HLB-16G 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3600C16 8GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Super Talent F24SB8GH 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD2 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Kingston CBD24D4S7S8ME-8 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Ramaxel Technology RMUA5200MJ78HAF-3200 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link