RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Confronto
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Punteggio complessivo
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Punteggio complessivo
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
53
60
Intorno 12% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
14.9
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.0
1,590.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
6400
Intorno 4 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
53
60
Velocità di lettura, GB/s
3,726.4
14.9
Velocità di scrittura, GB/s
1,590.1
12.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
25600
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
522
2511
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB Confronto tra le RAM
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 8G2666CL19 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston KF3600C16D4/16GX 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston XW21KG-MIE2 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMK8GX4M2B4133C19 4GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB
Kingston 9905469-124.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVR 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3866 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMW128GX4M8X3600C18 16GB
Kingston 99P5471-002.AOOLF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link