RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Confronto
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Punteggio complessivo
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Punteggio complessivo
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
53
83
Intorno 36% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
14.3
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.1
1,590.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
53
83
Velocità di lettura, GB/s
3,726.4
14.3
Velocità di scrittura, GB/s
1,590.1
8.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
522
1774
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB Confronto tra le RAM
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-18---------- 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBR2 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston 9905713-017.A00G 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBR2 4GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Heoriady M471A1K43BB1-CRC 16GB
Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160U 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C16 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMK32GX4M2A2800C16 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMK8GX4M2B3000C15 4GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Kingston KHX2133C13D4/4GX 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDD1 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FJ 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link