RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
Confronto
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB vs G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
Punteggio complessivo
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
25
30
Intorno 17% latenza inferiore
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.5
12.5
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.9
8.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
25
30
Velocità di lettura, GB/s
12.5
17.5
Velocità di scrittura, GB/s
8.4
12.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2180
3283
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M378B2873FHS-CH9 1GB
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB Confronto tra le RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston X3XCFP-HYA 8GB
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston KF2666C16D4/16G 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4000 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Corsair CM2X2048-6400C5DHX 2GB
SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link