RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
Confronto
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB vs G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
Punteggio complessivo
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
2
17.2
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
30
96
Intorno -220% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
17.0
1,336.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
96
30
Velocità di lettura, GB/s
2,725.2
17.2
Velocità di scrittura, GB/s
1,336.0
17.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
438
3773
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
AMD R534G1601U1S 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMN32GX4M2Z3200C16 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVR 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston 9905625-098.A00G 16GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZR 16GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Apacer Technology 78.BAGP4.AR50C 4GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Kingston 9905711-002.A00G 4GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Corsair CMR32GX4M2C3200C16 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Essencore Limited IM48GU48A32-GIISMZ 8GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link