RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Confronto
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB vs Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Punteggio complessivo
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Punteggio complessivo
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
2
19.8
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
96
Intorno -243% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.5
1,336.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
6400
Intorno 3.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
96
28
Velocità di lettura, GB/s
2,725.2
19.8
Velocità di scrittura, GB/s
1,336.0
14.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
21300
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
438
3650
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Kingston 9905744-024.A00G 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3200C16 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Apacer Technology 78.CAGPP.40C0B 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFXR 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB
Corsair CM4X8GD3600C18K2D 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z3600C18 8GB
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6D1 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRR 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link