RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
Confronto
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB vs Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
Punteggio complessivo
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Punteggio complessivo
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
2
11
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
46
96
Intorno -109% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.7
1,336.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
96
46
Velocità di lettura, GB/s
2,725.2
11.0
Velocità di scrittura, GB/s
1,336.0
8.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
438
2481
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston 9905701-003.A00G 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FE 16GB
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8G
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FDD2 4GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Mushkin MR[A/B]280HHHH16G 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FE 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link