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Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Confronto
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB vs SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Punteggio complessivo
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
2
15.1
Valore medio nei test
Motivi da considerare
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
38
96
Intorno -153% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.6
1,336.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
6400
Intorno 4 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
96
38
Velocità di lettura, GB/s
2,725.2
15.1
Velocità di scrittura, GB/s
1,336.0
11.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
25600
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
438
2382
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston 9905630-007.A00G 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
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