RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FP 8GB
Confronto
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB vs Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FP 8GB
Punteggio complessivo
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FP 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FP 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
30
44
Intorno -47% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16
10.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.3
7.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
10600
Intorno 2.01 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FP 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
44
30
Velocità di lettura, GB/s
10.9
16.0
Velocità di scrittura, GB/s
7.5
14.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
21300
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1853
3312
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB Confronto tra le RAM
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FP 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston 9965604-008.C00G 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2B4266C19 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kllisre 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C14 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Maxsun MSD44G24Q3 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMT64GX4M4C3200C16 16GB
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GVK 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Corsair CMT32GX4M4C3200C14 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link