RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22S/8G 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Confronto
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22S/8G 8GB vs Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Punteggio complessivo
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22S/8G 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22S/8G 8GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.1
13.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.0
11.0
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22S/8G 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
33
33
Velocità di lettura, GB/s
13.6
16.1
Velocità di scrittura, GB/s
11.0
13.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
25600
25600
Other
Descrizione
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2608
2987
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22S/8G 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C18 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
SK Hynix GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
Corsair CMK32GX5M2A4800C40 16GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Kingston XW21KG-MIE2 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Panram International Corporation M424016 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBR2 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston 9965662-018.A00G 32GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link