RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Confronto
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Punteggio complessivo
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Punteggio complessivo
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
25
34
Intorno 26% latenza inferiore
Motivi da considerare
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
19.1
12.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.6
7.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
25
34
Velocità di lettura, GB/s
12.6
19.1
Velocità di scrittura, GB/s
7.2
12.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2051
3178
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB Confronto tra le RAM
Team Group Inc. Xtreem-LV-2133 4GB
Kingston KHX1866C10S3L/8G 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Corsair CMT128GX4M8C3000C15 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston HP26D4S9S8MD-8 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Corsair CMV32GX4M1A2666C18 32GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Essencore Limited IM48GU48N24-FFFHM 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22/16G 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
SK Hynix HMT351U6BFR8C-H9 4GB
Corsair CMK16GX4M2L3000C15 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF2400 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link