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A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB vs Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

総合得点
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A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB

A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB

総合得点
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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

相違点 仕様 コメント

相違点

A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB 考慮すべき理由
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB 考慮すべき理由
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
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  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    12.3 left arrow 11.3
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    8.9 left arrow 7.5
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 10600
    周辺 1.21 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR3
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    40 left arrow 40
  • 読み出し速度、GB/s
    11.3 left arrow 12.3
  • 書き込み速度、GB/秒
    7.5 left arrow 8.9
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 12800
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 left arrow PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    1654 left arrow 1789

A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB RAMの比較

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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
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Inmos + 256MB
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メモリRAM
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
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G Skill Intl F4-4800C18-8GTRG 8GB
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メモリRAM
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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Apacer Technology 78.D2GF2.AU30B 16GB
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Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
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Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
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メモリRAM
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
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メモリRAM
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
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Kingston 9905663-007.A00G 16GB
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Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
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Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
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EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
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Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
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