RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
比較する
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB vs Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
総合得点
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
総合得点
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
バグを報告する
考慮すべき理由
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
38
94
周辺 -147% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
17.9
1
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
10.4
1,165.4
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
25600
6400
周辺 4 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
94
38
読み出し速度、GB/s
1,882.0
17.9
書き込み速度、GB/秒
1,165.4
10.4
メモリ帯域幅、mbps
6400
25600
Other
商品説明
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
タイミング / クロック速度
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
305
3030
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB RAMの比較
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB RAMの比較
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新の比較
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMT64GX4M4Z3600C18 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-lnd-2133 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Wilk Elektronik S.A. GX2400S464L17S/8G-S1 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston KHX2666C13D4/4GX 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTZR 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKK 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
Corsair CMZ32GX3M4A1866C9 8GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
バグを報告する
×
Bug description
Source link