RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
比較する
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB vs G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
総合得点
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
総合得点
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
4
15.2
テスト平均値
考慮すべき理由
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
25
56
周辺 -124% 低遅延
書き込み速度の高速化、GB/s
12.0
1,925.7
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
19200
6400
周辺 3 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
56
25
読み出し速度、GB/s
4,315.2
15.2
書き込み速度、GB/秒
1,925.7
12.0
メモリ帯域幅、mbps
6400
19200
Other
商品説明
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
タイミング / クロック速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
658
2740
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB RAMの比較
ProMos/Mosel Vitelic V916764K24QAFW-F5 512MB
Kingston DNU540DR4NABND1 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB RAMの比較
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新の比較
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CMK64GX4M4D3600C18 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Apacer Technology GD2.22428S.001 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9965589-007.D01G 8GB
バグを報告する
×
Bug description
Source link