RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston K6VDX7-HYD 8GB

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB vs Kingston K6VDX7-HYD 8GB

総合得点
star star star star star
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB

総合得点
star star star star star
Kingston K6VDX7-HYD 8GB

Kingston K6VDX7-HYD 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB 考慮すべき理由
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    2 left arrow 13.5
    テスト平均値
Kingston K6VDX7-HYD 8GB 考慮すべき理由
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    30 left arrow 52
    周辺 -73% 低遅延
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    7.2 left arrow 1,145.9
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    25600 left arrow 4200
    周辺 6.1 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    52 left arrow 30
  • 読み出し速度、GB/s
    2,614.5 left arrow 13.5
  • 書き込み速度、GB/秒
    1,145.9 left arrow 7.2
  • メモリ帯域幅、mbps
    4200 left arrow 25600
Other
  • 商品説明
    PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
  • タイミング / クロック速度
    4-4-4-12 / 533 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    409 left arrow 2154

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB RAMの比較

SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M4 70T2864AZ3-CE6 1GB

Kingston K6VDX7-HYD 8GB RAMの比較

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266641 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266641 4GB
メモリRAM
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZRX 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZRX 16GB
メモリRAM
PNY Electronics PNY 2GB
PNY Electronics PNY 2GB
EVGA 8GX-D4-3000-MR 8GB
EVGA 8GX-D4-3000-MR 8GB
メモリRAM
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
メモリRAM
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
メモリRAM
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKO 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKO 8GB
メモリRAM
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD 8GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD 8GB
メモリRAM
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
メモリRAM
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
メモリRAM
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
メモリRAM
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
メモリRAM
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
メモリRAM
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002S 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002S 8GB
メモリRAM
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston KHX2133C14D4/8G 8GB
Kingston KHX2133C14D4/8G 8GB
メモリRAM