RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB vs Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB

総合得点
star star star star star
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB

総合得点
star star star star star
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB

Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB 考慮すべき理由
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    2 left arrow 11.7
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    4200 left arrow 1900
    周辺 2.21% 高帯域
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB 考慮すべき理由
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    45 left arrow 52
    周辺 -16% 低遅延
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    8.4 left arrow 1,145.9
    テスト平均値

仕様

技術仕様の完全リスト
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    52 left arrow 45
  • 読み出し速度、GB/s
    2,614.5 left arrow 11.7
  • 書き込み速度、GB/秒
    1,145.9 left arrow 8.4
  • メモリ帯域幅、mbps
    4200 left arrow 1900
Other
  • 商品説明
    PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-1900, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • タイミング / クロック速度
    4-4-4-12 / 533 MHz left arrow no data
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    409 left arrow 2387

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB RAMの比較

SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M4 70T2864AZ3-CE6 1GB

Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB RAMの比較

Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
メモリRAM
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Kingston KF3600C16D4/8GX 8GB
Kingston KF3600C16D4/8GX 8GB
メモリRAM
Kingston 99U5471-047.A00LF 8GB
Kingston 99U5471-047.A00LF 8GB
Kingston 9905584-017.A00LF 4GB
Kingston 9905584-017.A00LF 4GB
メモリRAM
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
メモリRAM
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
JUHOR JHD2666U1916JG 16GB
JUHOR JHD2666U1916JG 16GB
メモリRAM
G Skill Intl F4-4400C19-32GTZR 32GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTZR 32GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB
メモリRAM
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB
Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB
メモリRAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CM4X8GF2400Z16K4 8GB
Corsair CM4X8GF2400Z16K4 8GB
メモリRAM
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston ACR32D4U2S8ME-16 16GB
Kingston ACR32D4U2S8ME-16 16GB
メモリRAM
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3333C16 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3333C16 4GB
メモリRAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
メモリRAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB
G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB
メモリRAM
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
メモリRAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
メモリRAM