RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB vs Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB

総合得点
star star star star star
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB

総合得点
star star star star star
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB

Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB

相違点 仕様 コメント

相違点

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB 考慮すべき理由
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    2 left arrow 14.4
    テスト平均値
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB 考慮すべき理由
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    36 left arrow 52
    周辺 -44% 低遅延
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    10.6 left arrow 1,145.9
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 4200
    周辺 4.05 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    52 left arrow 36
  • 読み出し速度、GB/s
    2,614.5 left arrow 14.4
  • 書き込み速度、GB/秒
    1,145.9 left arrow 10.6
  • メモリ帯域幅、mbps
    4200 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
  • タイミング / クロック速度
    4-4-4-12 / 533 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    409 left arrow 2490

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB RAMの比較

SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M4 70T2864AZ3-CE6 1GB

Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB RAMの比較

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
メモリRAM
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
メモリRAM
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Maxsun MSD44G24Q3 4GB
Maxsun MSD44G24Q3 4GB
メモリRAM
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRX 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRX 8GB
メモリRAM
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB
Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB
メモリRAM
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
メモリRAM
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
メモリRAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M393A2K43CB1-CRC 16GB
Samsung M393A2K43CB1-CRC 16GB
メモリRAM
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB
メモリRAM
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FP 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FP 16GB
メモリRAM
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
メモリRAM
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston KHX2133C13D4/8GX 8GB
Kingston KHX2133C13D4/8GX 8GB
メモリRAM
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CM4B8G2J2400A14K 8GB
Corsair CM4B8G2J2400A14K 8GB
メモリRAM
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingston 9905701-098.A00G 16GB
Kingston 9905701-098.A00G 16GB
メモリRAM