RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
比較する
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
総合得点
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
総合得点
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
2
17.7
テスト平均値
考慮すべき理由
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
22
52
周辺 -136% 低遅延
書き込み速度の高速化、GB/s
12.7
1,145.9
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
21300
4200
周辺 5.07 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
52
22
読み出し速度、GB/s
2,614.5
17.7
書き込み速度、GB/秒
1,145.9
12.7
メモリ帯域幅、mbps
4200
21300
Other
商品説明
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
タイミング / クロック速度
4-4-4-12 / 533 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
409
3075
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB RAMの比較
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M4 70T2864AZ3-CE6 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB RAMの比較
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新の比較
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Vasekey M378A1K43BB2-CPB 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Dust Leopard DDR4-2400 CL17 8GB 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston K6VDX7-MIE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston HP32D4S2S1ME-8 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMU32GX4M2C3200C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMT64GX4M4C3200C16 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBR 16GB
G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213341 4GB
AMD R748G2133U2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
Corsair CMT32GX4M2K4000C19 16GB
バグを報告する
×
Bug description
Source link