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A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
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A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
総合得点
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
総合得点
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
2
16.1
テスト平均値
考慮すべき理由
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
33
66
周辺 -100% 低遅延
書き込み速度の高速化、GB/s
12.1
1,557.9
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
6400
周辺 2.66 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
66
33
読み出し速度、GB/s
2,775.5
16.1
書き込み速度、GB/秒
1,557.9
12.1
メモリ帯域幅、mbps
6400
17000
Other
商品説明
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
タイミング / クロック速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
382
3157
A-DATA Technology DQVE1908 512MB RAMの比較
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
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G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
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Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
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Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N
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