RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
INTENSO 5641160 8GB

A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs INTENSO 5641160 8GB

総合得点
star star star star star
A-DATA Technology DQVE1908 512MB

A-DATA Technology DQVE1908 512MB

総合得点
star star star star star
INTENSO 5641160 8GB

INTENSO 5641160 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

A-DATA Technology DQVE1908 512MB 考慮すべき理由
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    2 left arrow 16.1
    テスト平均値
INTENSO 5641160 8GB 考慮すべき理由
INTENSO 5641160 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    23 left arrow 66
    周辺 -187% 低遅延
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    10.2 left arrow 1,557.9
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 6400
    周辺 2.66 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
INTENSO 5641160 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    66 left arrow 23
  • 読み出し速度、GB/s
    2,775.5 left arrow 16.1
  • 書き込み速度、GB/秒
    1,557.9 left arrow 10.2
  • メモリ帯域幅、mbps
    6400 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    382 left arrow 2613

A-DATA Technology DQVE1908 512MB RAMの比較

Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB

INTENSO 5641160 8GB RAMの比較

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BXGSHC 8GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BXGSHC 8GB
メモリRAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
メモリRAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Dust Leopard DDR4-2400 C16 8GB 8GB
Dust Leopard DDR4-2400 C16 8GB 8GB
メモリRAM
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB
Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB
メモリRAM
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 99U5474-011.A00LF 2GB
Kingston 99U5474-011.A00LF 2GB
メモリRAM
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
メモリRAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
メモリRAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9965596-031.B00G 8GB
Kingston 9965596-031.B00G 8GB
メモリRAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.8FE 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.8FE 8GB
メモリRAM
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB
メモリRAM
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZ 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZ 16GB
メモリRAM
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GVK 32GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GVK 32GB
メモリRAM
G Skill Intl F4-2666C18-32GRS 32GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GRS 32GB
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
メモリRAM
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FE 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FE 8GB
メモリRAM