RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
比較する
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
総合得点
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
総合得点
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
4
15.9
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
2,061.2
11.1
テスト平均値
考慮すべき理由
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
26
46
周辺 -77% 低遅延
より高いメモリ帯域幅、mbps
19200
6400
周辺 3 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
46
26
読み出し速度、GB/s
4,937.3
15.9
書き込み速度、GB/秒
2,061.2
11.1
メモリ帯域幅、mbps
6400
19200
Other
商品説明
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
タイミング / クロック速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
759
2855
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB RAMの比較
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB RAMの比較
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新の比較
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Panram International Corporation PUD42400C168GVS 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CMK8GX4M1D2400C14 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Kingston KTD3KX-HYA 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston KHX3000C16/16GX 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Corsair CMSX64GX4M2A2933C19 32GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/4G 4GB
Corsair CMD8GX3M2A2800C12 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FR 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
バグを報告する
×
Bug description
Source link