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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB

総合得点
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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

総合得点
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Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB

Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB 考慮すべき理由
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    46 left arrow 52
    周辺 12% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    4 left arrow 20.5
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    2,061.2 left arrow 10.1
    テスト平均値
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB 考慮すべき理由
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
バグを報告する
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 6400
    周辺 2.66 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    46 left arrow 52
  • 読み出し速度、GB/s
    4,937.3 left arrow 20.5
  • 書き込み速度、GB/秒
    2,061.2 left arrow 10.1
  • メモリ帯域幅、mbps
    6400 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    759 left arrow 2472

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