RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB

総合得点
star star star star star
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

総合得点
star star star star star
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB

Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB 考慮すべき理由
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    4 left arrow 16.8
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    2,061.2 left arrow 11.7
    テスト平均値
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB 考慮すべき理由
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    23 left arrow 46
    周辺 -100% 低遅延
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 6400
    周辺 3 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    46 left arrow 23
  • 読み出し速度、GB/s
    4,937.3 left arrow 16.8
  • 書き込み速度、GB/秒
    2,061.2 left arrow 11.7
  • メモリ帯域幅、mbps
    6400 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    759 left arrow 3147

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB RAMの比較

takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB

Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB RAMの比較

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

G Skill Intl F3-2400C10-8GTX 8GB
G Skill Intl F3-2400C10-8GTX 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C14 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C14 8GB
メモリRAM
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FB 8GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FB 8GB
メモリRAM
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
メモリRAM
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE1 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE1 8GB
メモリRAM
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB
SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB
メモリRAM
Crucial Technology BLS8G4D30AESCK.M8FE 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESCK.M8FE 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
メモリRAM
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.8FE 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.8FE 8GB
メモリRAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
メモリRAM
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
メモリRAM
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMK32GX4M2A2800C16 16GB
Corsair CMK32GX4M2A2800C16 16GB
メモリRAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB
Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB
メモリRAM
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZR 16GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZR 16GB
メモリRAM
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
メモリRAM
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Corsair CMK32GX4M1A2666C16 32GB
Corsair CMK32GX4M1A2666C16 32GB
メモリRAM