RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
AMD AE34G1601U1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB

AMD AE34G1601U1 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB

総合得点
star star star star star
AMD AE34G1601U1 4GB

AMD AE34G1601U1 4GB

総合得点
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB

相違点 仕様 コメント

相違点

AMD AE34G1601U1 4GB 考慮すべき理由
AMD AE34G1601U1 4GB
バグを報告する
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB 考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    41 left arrow 67
    周辺 -63% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    7.8 left arrow 6.8
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    6.1 left arrow 3.6
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 12800
    周辺 1.33 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
AMD AE34G1601U1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    67 left arrow 41
  • 読み出し速度、GB/s
    6.8 left arrow 7.8
  • 書き込み速度、GB/秒
    3.6 left arrow 6.1
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    998 left arrow 1512

AMD AE34G1601U1 4GB RAMの比較

Panram International Corporation PUD31600C94GNJK 4GB
Kingston 9905428-196.A00LF 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB RAMの比較

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB
メモリRAM
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMW32GX4M2Z2933C16 16GB
Corsair CMW32GX4M2Z2933C16 16GB
メモリRAM
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
メモリRAM
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C15 8GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C15 8GB
メモリRAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
メモリRAM
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB
Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB
メモリRAM
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Kingston KF3600C17D4/8GX 8GB
Kingston KF3600C17D4/8GX 8GB
メモリRAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB
メモリRAM
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Corsair MK16GX44B3000C15 4GB
Corsair MK16GX44B3000C15 4GB
メモリRAM
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
メモリRAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVRB 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVRB 8GB
メモリRAM
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRRD 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRRD 4GB
メモリRAM
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BUSS 8GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BUSS 8GB
メモリRAM
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FHP 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FHP 8GB
メモリRAM