RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB

ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB

総合得点
star star star star star
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB

ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB

総合得点
star star star star star
Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB

Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB

相違点 仕様 コメント

相違点

ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB 考慮すべき理由
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    26 left arrow 32
    周辺 19% 低遅延
Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB 考慮すべき理由
Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    14.1 left arrow 12.6
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    13.9 left arrow 9.5
    テスト平均値

仕様

技術仕様の完全リスト
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    26 left arrow 32
  • 読み出し速度、GB/s
    12.6 left arrow 14.1
  • 書き込み速度、GB/秒
    9.5 left arrow 13.9
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow no data
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow , 1.20000005, CAS Supported:
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow no data
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2174 left arrow 2918

ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB RAMの比較

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB

Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB RAMの比較

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
メモリRAM
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Apacer Technology 76.B305G.D500B 4GB
Apacer Technology 76.B305G.D500B 4GB
メモリRAM
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N
メモリRAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE 8GB
メモリRAM
Kingston K531R8-MIN 4GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Corsair CM4X16GD3200C16K4E 16GB
Corsair CM4X16GD3200C16K4E 16GB
メモリRAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
メモリRAM
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
メモリRAM
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
メモリRAM
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
メモリRAM
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB
メモリRAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KYXC0V-MID 16GB
Kingston KYXC0V-MID 16GB
メモリRAM
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
メモリRAM
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
メモリRAM
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G32 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G32 8GB
メモリRAM