RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Catalyst 256NU8 256MB
Kingston 9905678-177.A00G 8GB

Catalyst 256NU8 256MB vs Kingston 9905678-177.A00G 8GB

総合得点
star star star star star
Catalyst 256NU8 256MB

Catalyst 256NU8 256MB

総合得点
star star star star star
Kingston 9905678-177.A00G 8GB

Kingston 9905678-177.A00G 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Catalyst 256NU8 256MB 考慮すべき理由
Catalyst 256NU8 256MB
バグを報告する
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    589.6 left arrow 13.6
    テスト平均値
Kingston 9905678-177.A00G 8GB 考慮すべき理由
Kingston 9905678-177.A00G 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    23 left arrow 63
    周辺 -174% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    16.9 left arrow 1
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 3200
    周辺 6.66 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Catalyst 256NU8 256MB
Kingston 9905678-177.A00G 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    63 left arrow 23
  • 読み出し速度、GB/s
    1,932.4 left arrow 16.9
  • 書き込み速度、GB/秒
    589.6 left arrow 13.6
  • メモリ帯域幅、mbps
    3200 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • タイミング / クロック速度
    3-3-3-12 / 400 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    179 left arrow 3117

Catalyst 256NU8 256MB RAMの比較

A-DATA Technology DDR3 1866 8GB

Kingston 9905678-177.A00G 8GB RAMの比較

Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Kingston KHX1600C10D3/8G 8GB
Kingston KHX1600C10D3/8G 8GB
Corsair CMZ8GX3M2A1600C9 4GB
Corsair CMZ8GX3M2A1600C9 4GB
メモリRAM
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G46ME-32AA 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G46ME-32AA 8GB
メモリRAM
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZR 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZR 8GB
メモリRAM
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
メモリRAM
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FBD 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FBD 8GB
メモリRAM
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815GK 8GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815GK 8GB
メモリRAM
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
メモリRAM
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB
MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB
メモリRAM
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMW16GX4M2A2666C16 8GB
Corsair CMW16GX4M2A2666C16 8GB
メモリRAM
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
メモリRAM
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FDD2 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FDD2 8GB
メモリRAM
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GNT 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GNT 4GB
メモリRAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CM4X8GE2400C16K4 8GB
Corsair CM4X8GE2400C16K4 8GB
メモリRAM
PNY Electronics 8GBH2X04HAAA30-15 8GB
PNY Electronics 8GBH2X04HAAA30-15 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
メモリRAM