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Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB

Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB

総合得点
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Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB

Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB

総合得点
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Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB

Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB 考慮すべき理由
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    4 left arrow 14.3
    テスト平均値
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB 考慮すべき理由
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    43 left arrow 48
    周辺 -12% 低遅延
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    7.8 left arrow 2,034.7
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 6400
    周辺 3 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    48 left arrow 43
  • 読み出し速度、GB/s
    4,295.1 left arrow 14.3
  • 書き込み速度、GB/秒
    2,034.7 left arrow 7.8
  • メモリ帯域幅、mbps
    6400 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    650 left arrow 2128

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G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
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Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
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SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
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G Skill Intl F4-2666C15-8GVK 8GB
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メモリRAM
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
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Apacer Technology GD2.1527WH.002 8GB
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メモリRAM
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
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G Skill Intl F4-3000C15-16GVR 16GB
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メモリRAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Kingston KHX2400C1C14/16G 16GB
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メモリRAM
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
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Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB
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メモリRAM
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A
メモリRAM
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
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