Corsair CM3X2G1600C9 2GB vs G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB

総合得点

Corsair CM3X2G1600C9 2GB

Corsair CM3X2G1600C9 2GB

総合得点

G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB

G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB

相違点仕様コメント

相違点

Corsair CM3X2G1600C9 2GB

考慮すべき理由
Corsair CM3X2G1600C9 2GB

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G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB

考慮すべき理由
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB

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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns

32 38

周辺 -19% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s

17.1 11.9

テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s

16.6 7.8

テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps

17000 10600

周辺 1.6 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト

Corsair CM3X2G1600C9 2GB

G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB

主な特徴

メモリータイプ

DDR3 DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns

38 32
読み出し速度、GB/s

11.9 17.1
書き込み速度、GB/秒

7.8 16.6
メモリ帯域幅、mbps

10600 17000

Other

商品説明

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
タイミング / クロック速度

7-7-7-20 / 1333 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）

1889 3742

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

最新の比較

Corsair CM3X2G1600C9 2GB

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G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB

G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB

Kingston KVR16N11/8-SP 8GB

Kingston KVR16N11/8-SP 8GB

G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB

G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB

Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB

Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB

takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB

takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N

Kingston 9965662-016.A00G 16GB

Kingston 9965662-016.A00G 16GB

Corsair CMD16GX4M4B3400C16 4GB

Corsair CMD16GX4M4B3400C16 4GB

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB

Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB

Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB

Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB

Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB

Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB

Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB

Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB

Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB

Crucial Technology CT8G4SFS632A 8GB

Crucial Technology CT8G4SFS632A 8GB

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB

A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB

Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB

Golden Empire CL14-14-14 D4-2400 16GB

Golden Empire CL14-14-14 D4-2400 16GB

Kingston 9965525-018.A00LF 4GB

Kingston 9965525-018.A00LF 4GB

G Skill Intl F4-2133C15-8GRK 8GB

G Skill Intl F4-2133C15-8GRK 8GB

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

Kingston 9905625-075.A00G 16GB

Kingston 9905625-075.A00G 16GB